PLELEKTRONIK

Kategorie
Nowości
Informacje
Polecamy
Nowości
Nowość
TRANZYSTOR 2SA-1015         WL
images/2SA-1015jpg.jpg TRANZYSTOR 2SA-1015 WL 1 2003-03-27 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1015(L) Audio Frequency Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications  High voltage and high current: VCEO = −50 V (min), IC = −150 mA (max)  Excellent hFE linearity: hFE (2) = 80 (typ.) at VCE = −6 V, IC = −150 mA : hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.)  Low noise: NF = 0.2dB (typ.) (f = 1 kHz)  Complementary to 2SC1815 (L) Maximum Ratings (Ta  25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 150 mA Base current IB 50 mA Collector power dissipation PC 400 mW Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature range Tstg 55~125 °C Electrical Characteristics (Ta  25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Collector cut-off current ICBO VCB  50 V, IE  0   0.1 A Emitter cut-off current IEBO VEB  5 V, IC  0   0.1 A hFE (1) (Note) VCE  6 V, IC  2 mA 70  400 DC current gain hFE (2) VCE  6 V, IC  150 mA 25 80  Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) IC  100 mA, IB  10 mA  0.1 0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE (sat) IC  100 mA, IB  10 mA   1.1 V Transition frequency fT VCE  10 V, IC  1 mA 80   MHz Collector output capacitance Cob VCB  10 V, IE  0 f  1 MHz  4 7 pF Base intrinsic resistance rbb’ VCB  10 V, IE  1 mA f  30 MHz  30   NF (1) VCE  6 V, IC  0.1 mA f  100 Hz, RG  10 k  0.5 6 Noise figure NF (2) VCE  6 V, IC  0.1 mA f  1 kHz, RG  10 k  0.2 3 dB Note: hFE (1) classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400 Unit: mm JEDEC TO-92 JEITA SC-43 TOSHIBA 2-5F1B Weight: 0.21 g (typ.) powiedz, 485
Koszyk
...jest pusty

Bestsellery
Promocje
Akceptuję
Strona korzysta z plików cookies w celu realizacji usług i zgodnie z Polityką Prywatności. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce.